阅读设置
样品与前置条件
- 同相可靠取向及晶粒 ID。
- 步长、邻域、阈值、参考取向、降噪和角度单位。
建议工作流
- 用完整旋转与正确晶体对称求两点错取向,勿相减 Euler 角。
- 定义核的实际邻点和物理距离,限制相与必要的晶粒 ID。
- 设置 θcut,排除后重新计算分母;无有效邻点记为缺失。
- 选择 GROD 参考,按已声明定义计算 GOS 和 GAM;保存每粒像素数与尺寸。
- 在线扫中分别画逐点差、相对参考差,若累加路径则单独命名。
- 比较时统一色标和物理邻域,解释噪声与清理的影响。
- 只把这些量解释为指定条件下的取向差;更强的应变或再结晶判断需补证。
结果怎么解释
- KAM 增大不代表塑性应变按比例增加。
- GOS 与晶粒长度有关,GAM 与局部距离有关。
局限与常见误区
- 不同文献的 GOS 名称可能不一致,必须核对公式。
- 小角旋转轴可能远比角度不稳定。
标准与权威来源
请在正式试验前核对适用产品标准、设备 SOP 和标准的现行版本。
Olaf Engler; Stefan Zaefferer; Valerie Randle:《Introduction to Texture Analysis: Macrotexture, Microtexture, and Orientation Mapping》(2024,第 3 版)对应原理与参数解释见本专题完整推导正文;软件操作以所用版本帮助为准。↗MTEX:Kernel Average Misorientation对应原理与参数解释见本专题完整推导正文;软件操作以所用版本帮助为准。 官方定义、邻域阶数、阈值和晶粒 ID 的作用。示例参数属于示例材料。↗MTEX:Grain Orientation Parameters对应原理与参数解释见本专题完整推导正文;软件操作以所用版本帮助为准。 GOS 采用相对晶粒均值取向的平均偏离角;GAM 与 GROD 分开定义。↗Masayuki Kamaya (2011). Assessment of local deformation using EBSD: quantification of accuracy of measurement and definition of local gradient对应原理与参数解释见本专题完整推导正文;软件操作以所用版本帮助为准。↗