EBSD 实操:位错与应力

GND 从头推导:晶格曲率、Nye 张量与二维反演

由弯曲晶格的几何相容性走到位错密度张量、欠定方程与单位换算,明确哪些来自测量、哪些来自模型。

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先记住这三点

  1. GND 描述指定观察尺度下不相互抵消的净位错内容。
  2. 二维取向图只提供面内梯度,不能唯一确定三维位错群。
  3. 角噪声除以步长后被放大,GND 图必须同时说明尺度与模型。
01

为什么晶格弯曲需要净位错

把晶体想成一排相邻晶格列。若材料中存在系统性的晶格方向变化,而又要保持各处晶格连接,就需要额外半原子面或其他位错内容来补足几何不相容。相反,正负位错在观察尺度上互相抵消时,可以有很多位错而几乎没有净晶格曲率。

GND 与 SSD 不是两种完全不同的基本线缺陷,而是与观察尺度和净几何作用有关的分类。对一个较大的测量区域,内部正负内容可能抵消;缩小到能分开它们的尺度时,就会看到局部净内容。

02

先用低角度倾斜边界推导量纲

简化为间隔 D 的平行刃位错组成小角度倾斜边界。几何关系为 2sin(θ/2)=b/D;小角度弧度制下 θ≈b/D。若把这样的转动分布到宽度 L 内,单位体积的线长数量级为 ρ≈1/(DL)≈θ/(bL)。

例如课堂设 θ=0.5°=0.008727 rad,b=0.25 nm=2.5×10⁻¹⁰ m,L=1 μm=10⁻⁶ m,则 θ/(bL)≈3.49×10¹³ m⁻²。它是单一几何模型的估计,不是某材料实测值。角度若忘记从度转弧度,会带来约 57.3 倍错误。

03

从 Burgers 回路到张量

对连续位错分布,穿过面积元 dS、法向为 n 的净 Burgers 矢量可写 dB=αn dS。αij 表示法向 j 的单位面积上,第 i 方向的净 Burgers 矢量内容,单位为 m⁻¹。它不同于常说的标量线密度 ρ,其单位是 m⁻²。

若第 a 类位错的 Burgers 矢量为 ba、单位线方向为 ta、有符号线密度为 ρa,则 α=Σaρa ba⊗ta,分量为 αij=Σaρa ba,i ta,j。因为 m⁻²×m=m⁻¹,量纲一致。取反线方向或 Burgers 矢量时,需要相应调整符号约定,不能把有符号求和提前改为绝对值求和。

跟着推导 · 教学几何

GND:从转角、长度到密度量纲

先看最简单的晶格弯曲模型,再进入正文中的张量推导。把同样转角压缩到更短距离,会需要更大的净位错密度尺度。

L = 1.0 μm(绘图角度放大 12 倍)

小角倾斜阵列:θ ≈ b / D;线密度尺度:ρ ≈ 1 / (D L) = θ / (b L)

θ = 0.008727 rad;b = 2.50e-10 m;L = 1.00e-6 m

ρ ≈ 3.491e+13 m⁻²

为什么这里不能直接填 KAM,就称作完整 GND?

KAM 将不同邻点角差压成一个标量,丢掉了旋转轴、空间方向和分量。这个单一弯曲模型只给量纲与几何直觉。完整曲率反演需要 κ、Nye 张量、位错系统和选解条件,二维缺失的导数也不能自动补为零。

线段代表局部晶格朝向,非真实位错图像;密度为指定简化模型的课堂计算。

04

不相容性为什么表现为 curl

在小畸变理论中,总位移梯度 β=∇u 可分成弹性畸变 βe 与塑性畸变 βp。单值且光滑的位移场满足 curl(∇u)=0,因此两者的旋度互相抵消。本章约定 αij=εjkl∂βp,il/∂xk=−εjkl∂βe,il/∂xk,εjkl 是 Levi-Civita 交替符号。

这个定义对应按行取旋度及特定 Burgers 回路方向。文献可能整体反号或转置,比较前必须统一约定。重要的物理内容是:沿闭合路径积累的失配由位错提供,而不是把任意空间取向差都直接称为应变。

05

旋转梯度怎样变成 Nye 张量

写 βe=εe+ω,将弹性对称应变与反对称旋转分开。小旋转向量 θ 满足 ωil=−εilmθm。定义曲率 κmk=∂θm/∂xk,忽略弹性应变梯度时,代入上式得 αij=εjklεilmκmk=κji−δij trκ,即 α=κᵀ−tr(κ)I。

这一步使用了小畸变和忽略应变梯度的近似。若弹性应变梯度不可忽略,还应保留 −curl εe。常规取向图不能直接给出这部分;HR-EBSD 可提供更多相对应变信息,但仍需处理参考和二维采样。大取向差也不能把 Euler 角导数当作小旋转向量导数,应采用相对旋转与相应有限旋转框架。

06

二维地图到底缺了什么

若扫描面是 x1–x2,能估计 κi1、κi2,缺少 ∂θi/∂x3。于是可得到某些 α 分量及组合,但不是完整九分量张量。例如在上述约定下,α12=κ21、α13=κ31、α21=κ12、α23=κ32、α33=−κ11−κ22,以及 α11−α22=κ11−κ22 可由面内曲率约束。

缺失导数应记为未测,而不是写成 0。若软件最后输出完整张量,缺失部分可能来自所选位错群与优化的补全。这是模型给出的一个可行解释,不能把补全值再当成独立实验观测。

07

从张量反演各类位错

把测得的独立约束排成向量 y,把候选位错张量 ba⊗ta 的相应分量排成列,得到 Aρ≈y。候选位错类型通常多于独立约束,因此多组 ρ 可以产生相同可测曲率。常见选解方式是最小化 Σua|ρa|,ua 表示相对线能等权重,并允许测量误差范围。

刃、螺和不同 Burgers 矢量的权重、允许位错集合、相、晶格参数都会影响解。未加权 Σ|ρa|、能量加权 Σua|ρa| 和直接张量范数是不同标量。软件字段名字叫“GND”时,务必核查它具体返回哪一种,不能一概写成真实总位错密度。

08

噪声下限为什么随步长改变

若取向角的不确定度数量级为 δθ,差分曲率误差约为 δκ∼δθ/Δx,相应密度尺度为 δρ∼δθ/(bΔx),几何系数取决于差分和相关性。δθ=0.1°、b=0.25 nm、Δx=0.1 μm 时,这个量级约为 7.0×10¹³ m⁻²。仍然是课堂估算,并非仪器通用检出限。

更小步长既可能分辨以前被平均掉的真实结构,也可能提高导数噪声。不能简单断言步长越小 GND 越准确。晶界跳变也不宜作为平滑晶格曲率跨界差分,必须分晶粒处理并标记边缘有效性。

09

单位与可复现报告

若坐标用 μm、Burgers 长度用 Å,反演系数可能处于 1/(μm·Å),转换到 m⁻² 需要乘 10¹⁶。若晶格常数已用 m 或 nm,则转换因子不同。只抄一个 10¹⁶ 而不看单位,可能产生巨大错误。

完整报告写明:相与晶格参数、取向约定、扫描面、步长、降噪、梯度算法、边界处理、缺失导数、位错集合、能量权重、求解约束、输出定义和单位。对数色标应说明范围,零值和缺失值不能偷偷变成最低颜色。

10

净 Burgers 内容与回路积分

按本章符号约定,穿过曲面 S 的净 Burgers 矢量 B=∫Sαn dS=−∮∂Sβe dl。这由 Stokes 定理得到:面积上的旋度积分等于边界上的环量。它将分布式不相容性与围绕一块区域的闭合失配联系起来。单位是长度;除以面积后得到净 Burgers 内容的面密度,仍不同于所有位错线长度之和。

加权 Burgers 矢量等分析利用这类可测净内容约束,避免将每个信号立即拆成唯一位错类型。但只有二维旋转数据时,仍需说明可用畸变分量、应变梯度近似和尺度。闭合回路内正负内容会抵消,所以回路信号小不意味着区域内缺陷总量小。

11

怎样解释一张 GND 图

高值说明在当前尺度、误差和模型下,需要较多净位错内容解释测得的曲率。低值不证明没有位错,也不证明没有经历塑性变形;SSD、未测导数和分辨率限制仍可能重要。模型估计有时被称为下限,但噪声可使结果向上偏,不能把每个像素都视为严格数学下界。

比较两种材料时,先统一可比较的采样与模型条件,再讨论高值区域与晶界、滑移带或相界的对应。下一篇铜拉伸案例会将这条推理落实到真实研究问题。

来源与延伸阅读

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Wolfgang Pantleon (2008). Resolving the geometrically necessary dislocation content by conventional electron backscattering diffraction二维曲率约束、五个张量分量与一个差值组合,以及 GND 反演的下限框架。J.F Nye (1953). Some geometrical relations in dislocated crystals连续位错密度张量的经典理论来源。Olaf Engler; Stefan Zaefferer; Valerie Randle:《Introduction to Texture Analysis: Macrotexture, Microtexture, and Orientation Mapping》(2024,第 3 版)第 9.4.4–9.4.6 节;本章明确写出旋度和转置约定,避免混用。MTEX:Geometrically Necessary Dislocations官方曲率、候选位错和求解输出说明。 曲率、位错系统、能量权重与单位转换;二维欠定问题不因软件求解而消失。J. Jiang; T.B. Britton; A.J. Wilkinson (2013). Measurement of geometrically necessary dislocation density with high resolution electron backscatter diffraction: Effects of detector binning and step size步长、噪声和探测器设置的影响。Stuart I. Wright; Matthew M. Nowell; David P. Field (2011). A Review of Strain Analysis Using Electron Backscatter DiffractionGND 与其他变形指标的界限。