阅读设置
样品与前置条件
- 原始高质量花样、稳定几何与同晶粒参考。
- 相应弹性常数、参考系、表面条件和误差定义。
建议工作流
- 选择并说明参考花样,不以低 KAM 自动等同于无应力。
- 确认 PC 与探测器畸变,设相关窗口并检查独立特征。
- 提取亚像素位移;大转动时按适用算法先重映射。
- 用窗口质量加权拟合畸变,检查残差与空间异常。
- 分解 ε 与 ω,明确张量剪切和工程剪切约定。
- 写清静水分量处理及表面牵引等假设,旋转单晶刚度后计算应力。
- 先检查各分量再画等效应力,附参考、质量和无效掩膜。
结果怎么解释
- 相对应变与绝对应变不同,精密度与准确度也不同。
- von Mises 图不保留完整拉压与方向信息。
局限与常见误区
- 只有 Euler 角通常无法补做花样互相关 HR-EBSD。
- 表面制备与参考残余应变可能产生系统偏差。
标准与权威来源
请在正式试验前核对适用产品标准、设备 SOP 和标准的现行版本。
Olaf Engler; Stefan Zaefferer; Valerie Randle:《Introduction to Texture Analysis: Macrotexture, Microtexture, and Orientation Mapping》(2024,第 3 版)对应原理与参数解释见本专题完整推导正文;软件操作以所用版本帮助为准。↗T B Britton; J L R Hickey (2018). Understanding deformation with high angular resolution electron backscatter diffraction (HR-EBSD)对应原理与参数解释见本专题完整推导正文;软件操作以所用版本帮助为准。↗Stuart I. Wright; Matthew M. Nowell; David P. Field (2011). A Review of Strain Analysis Using Electron Backscatter Diffraction对应原理与参数解释见本专题完整推导正文;软件操作以所用版本帮助为准。↗